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钛酸钙

我们报告了由硒化镉（CdSe）量子点（QDs）组成的新型半导体异质结构的合成和结构表征，该结构附着在新型高表面积多孔稀土离子掺杂碱土金属钛酸盐微米级球形图案上即由成分组分纳米粒子组成的Eu掺杂和Pr掺杂的CaTiO3。这些独特的金属氧化物钙钛矿构造块是通过涉及熔融盐和水热方案的多管合成策略创建的。随后，这些异质结构的光学表征表明，这些系统中电荷转移的明显行为依赖于许多参数，例如掺杂剂的性质，反应温度和粒径。具体而言，将直径2.7 nm的配体官能化CdSe QD固定在通过熔融盐方案制备的亚微米级CaTiO3基球形组件上。我们发现，Pr和Eu掺杂的CaTiO3均显示出明显的PL发射，使用优化的镧系元素浓度分别为0.2 mol％和6 mol％观察到的最大强度。在掺Eu的BaTiO3和SrTiO3图案上进行了类似的实验，但在所测试的三种钙钛矿体系中，CaTiO3仍然是最有效的基质材料。此外，配体封端的CdSe QD掺杂的CaTiO3异质结构在两个单独的组成纳米级组分之间表现出有效的电荷转移，这一断言由其测得的PL信号的相应猝灭所证实。