氮化铝(AlN)是一种综合性能优良的新型电子陶瓷材料，具有超高热导率、可靠的电绝缘性能，化学稳定性，低介电损耗以及与硅等半导体材料相匹配的热膨胀系数，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被认为是新一代的，即第三代半导体材料，其成品——氮化铝填料粉，氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷结构件，被广泛应用于消费电子，高亮照明，新能源汽车，半导体，医疗，航空航天等众多领域。
导热材料填料
加入氮化铝粉体可以明显提高材料的热导率，提高其导热性能。
氮化铝填料粉可用于TIM（热界面材料） 中，比如导热胶，导热脂等；FCCL 导热介电层填料，广泛应用于电子器件的热传递介质，比如，CPU与散热器填隙、大功率三极管和可控硅元件与基材接触的细缝处的热传递介质。
氮化铝陶瓷基板及电子器件封装
氮化铝（AlN）是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，其烧结出的氮化铝基板具有超高热导性，高电绝缘性，以及与硅等半导体材料相匹配的热膨胀系数，适用于混合功率开关的封装以及微波真空管封装壳体材料，同时也是大规模集成电路基片的理想材料。
氮化铝结构陶瓷
经过干压，冷等静压等工艺后烧结而成的氮化铝陶瓷结构件，具备高热导，介电损耗小，机械性能好，硬度高，韧性好，耐高温耐腐蚀等优异性能，可制作半导体静电吸盘，高温耐蚀部件等，广泛应用在半导体、医疗等领域。
产品介绍
微信号：yamei-nano
