 |
[新品] 片状镍粉
(AM-Ni-P-01)
片状镍即Novamet片状镍粉，是一种明亮，有光泽的颗粒产品，是适用于高性能涂料以及粉末涂料的理想装饰颜料。适合做导电橡胶，导电硅胶等。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 氧化还原石墨烯
还原氧化石墨烯以生成还原氧化石墨烯的过程非常重要，因为它对生成的RGO的质量有很大影响，因此将决定RGO在结构和性能方面与原始石墨烯的接近程度。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 纳米级高纯碳化钒
(200nm)
碳化钒，黑色立方晶体，熔点2810℃,沸点3900℃,相对密度5.77。比石英略硬。主要用于制造钒钢。可用作碳化物硬质合金添加剂。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 碳氮化钛
(TiNC)
碳氮化钛呈深灰色,密度为5.08g/cm3。利用一体多温段新型工艺生产 的碳氮化钛是我司优势所在,相比传统工艺生产的碳氮化钛,具有含氧量低,固溶度高以及粒度分布均匀等特点。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 立方氮化硼微粉
立方氮化硼微粉,用在精密磨削、研磨、抛光和超精加工,以达到高精度的加工表面。适用于树脂、金属、陶瓷等结合剂体系,亦可用于生产聚晶复合片烧结体,还可用做松散磨粒、研磨膏。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 多层石墨烯
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 氮化铪
氮化铪,hafnium nitride,HfN,立方晶结构。熔点3310℃,显微硬度16GPa, 相当稳定,
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 高纯硼粉
硼为黑色或银灰色固体。晶体硼为黑色,硬度仅次于金刚石,质地较脆。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 高纯六硼化钙
(1um)
六硼化钙用作白云石炭和镁白云石炭耐火材料的抗氧化 、抗侵蚀和提高热态强度的含硼添加剂。用作高导电紫铜提高导电率和强度的脱氧除气剂。用作核工业防中子的新型材料。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 纳米级高纯碳化铪
(200nm)
碳化铪用于粉末冶金、切削工具、精细陶瓷、化学气相沉积、硬质耐磨合金刀具、工具、模具和耐磨耐蚀结构部件添加剂,提高合金的韧性。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 高纯二硼化镁
二硼化镁(MgB2)是一种离子化合物,晶体结构属六方晶系。它是一种插层型化合物,镁层和硼层交替排列。 迄今发现的临界温度很高的简单的金属化合物超导材料。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 高纯二硼化铝
二硼化铝的结构与金属互化物相似,其结构主要取决于铝金属和硼的晶体结构而不取决于它们的化合价关系。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 二硼化铬
硼化铬用作耐磨、抗高温氧化涂层和核反应堆中的中子吸收涂层。用于陶瓷,熔喷在金属及陶瓷表面,形成耐磨、耐蚀薄膜。用于喷制半导体膜。硼化铬与氧化铝在微氧化气氛中烧结或热压制品,有高温耐磨的实用价值。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 碳纳米管垂直阵列
(VACNTs)
垂直阵列碳纳米管是指碳纳米管与基底表面垂直，且碳纳米管之间呈平行排列，这种宏观的碳纳米管阵列，其长径比大、有序度高、相互作用小、缠绕少，能够充分发挥碳纳米管的优异性能。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 二硼化锰
硼化锰,正锰硼化合物作为潜在的超硬材料,在实验和理论上得到了广泛的研究。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 二硼化钒
二硼化钒可用于导电陶瓷材料等领域,属于原子晶体。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 纳米氧化铟锡
(50nm)
氧化铟锡,纳米ITO,或者掺锡氧化铟,是一种铟(III族)氧化物(In2O3) and锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物,通常质量比为90%In2O3,10%SnO2。它在薄膜状时,透明,略显茶色。在块状态时,它呈黄偏灰色。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[新品] 高纯二硼化铪
二硼化铪,HfB2,黑色粉末,密度10.5克/立方厘米,熔点3785度,高硬度,耐腐蚀。性能和二硼化锆非常相似。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 高纯六硼化镧
六硼化镧,紫色粉末,密度2.61g/cm3,熔点2210℃,高于熔点则分解。常温下不溶于水和酸。由于具有熔点高、热电子放射性能高的特点,在核聚变反应堆、热电子发电等方面可替代高熔点金属和合金。
更新:2025-07-15
|
|
 |
[促销] 纳米二氧化铪
(50nm)
二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起高度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
更新:2025-07-15
|
|
| 还没找到想要购买的产品吗？尝试免费发布求购信息，让供应商主动找上门！ |
|
|
|
| 推荐会员 |
 |
 |
| 《全球新材料网》客服热线： |
| 0571-28068180,28902366 |
|
| 《全球新材料网》客服QQ： |
 |
您可以给我们留言，寻求帮助。
我们会在一个工作日内给您回复！ |
 |
|
|
 |
|
太阳能光伏：