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[促销] 二硅化钨
硅化钨用于制抗氧化覆盖层和电阻丝敷剂。
更新:2025-07-15
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[促销] 二硅化铝
硅化铝用于制造低中强度的形状复杂的铸件,如盖板、电机壳、托架等。也用作钎焊焊料。
更新:2025-07-15
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[促销] 高纯六硼化镧
六硼化镧,紫色粉末,密度2.61g/cm3,熔点2210℃,高于熔点则分解。常温下不溶于水和酸。由于具有熔点高、热电子放射性能高的特点,在核聚变反应堆、热电子发电等方面可替代高熔点金属和合金。
更新:2025-07-15
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[促销] 高纯氮化铝粉
氮化铝(AlN)是一种综合性能优良的新型电子陶瓷材料，具有超高热导率、可靠的电绝缘性能，化学稳定性，低介电损耗以及与硅等半导体材料相匹配的热膨胀系数
更新:2025-07-15
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[新品] 高纯超细氮化钛
氮化钛（Titanium nitride），是一种化合物，分子式是TiN，分子量为61.88，TiN粉末一般呈黄褐色。
更新:2025-07-15
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[新品] 四方相钛酸钡
钛酸钡被广泛应用于动态随机储存器、电子滤波器、谐振器、超声探测、温控传感器及多层陶瓷电容器(mlcc)等。
更新:2025-07-15
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[促销] 纳米级高纯钛酸钡
纳米钛酸钡是电子陶瓷元器件行业的重要基础原料，被誉为“电子陶瓷工业的支柱”，也是电子陶瓷中使用很广、用量较大的重要原料之一。
更新:2025-07-15
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[促销] 纳米级高纯钛酸锶
钛酸锶，白色立方晶体。相对密度5.13。熔点2080℃。具有高折射指数及高介电常数。
更新:2025-07-15
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[新品] 纳米级钛酸锶钡
钛酸锶钡是一种铁电材料。该材料具有优越的介电、铁电性能,广泛应用于动态随机存储器、红外探测的辐射热测量器以及多层陶瓷电容器等器件中。钛酸锶钡还具有较高的热释电系数。
更新:2025-07-15
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[新品] 锆钛酸铅
锆钛酸铅是目前应用较为广泛的压电铁电陶瓷材料。由于它具有优异的压电,介电,热电特性而受到广泛的关注。
更新:2025-07-15
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[新品] 贝塔相氮化硅
(β-Si3N4)
氮化硅硬度高,滑动摩擦系数小的特点可以应用于金属表面陶瓷耐磨复合镀,应用到涂料中可以起到耐磨与耐溶剂特性。
更新:2025-07-15
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[新品] 氮化硅晶须
氮化硅晶须,相对密度3.18。熔点:1900℃。具有高强度、高弹性模量、低热膨胀率,以及优良的耐热性、电绝缘性、化学稳定性等特性。硬度大,莫氏硬度9。拉伸强度13720Mpa,弹性模量382200Mpa。
更新:2025-07-15
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[新品] 阿尔法相氮化硅粉
(α-Si3N4)
氮化硅是一种无机物,化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料,硬度大,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体,高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。
更新:2025-07-15
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[新品] 纳米级四氮化三硅
(50nm)
我司氮化硅尺寸稳定性好,机械强度高,耐化学腐蚀性能好,特别是高温强度大,并有自润滑效果,其在复合材料中形成细微的弥散相,从而大大地提高了复合材料的综合性能。其产品本身具有自润滑性能。
更新:2025-07-15
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[新品] 氮化钛晶须
氮化钛晶须强度高,硬度高,熔点高,耐高温,耐腐蚀,热膨胀系数高。
更新:2025-07-15
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[新品] 碳化钛晶须
碳化钛晶须强度高,硬度高,熔点高,耐高温,耐腐蚀，具有良好的导电性,
更新:2025-07-15
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[促销] 纳米二氧化铪
(50nm)
二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起高度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
更新:2025-07-15
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[新品] 高纯二硼化铪
二硼化铪,HfB2,黑色粉末,密度10.5克/立方厘米,熔点3785度,高硬度,耐腐蚀。性能和二硼化锆非常相似。
更新:2025-07-15
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[促销] 硅化镍
中文名称:硅化镍英文名称:dinickel silicideCAS号:12059-14-2分子式:Ni2Si分子量:145.4723
更新:2025-07-15
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[促销] 二硅化锰
中文名称:硅化锰 二硅化锰英文名称:manganese disilicideCAS号:12032-86-9分子式:H53Mn15Si26分子量:1607.7145
更新:2025-07-15
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